BD : Chế độ giảm tốc chùm tia.

WD : Khoảng cách làm việc. Độ phân giải ở khoảng cách làm việc tối ưu trừ khi có chỉ định khác. Theo mặc định, sau khi lắp đặt cuối cùng, độ phân giải được chứng minh trong thử nghiệm chấp nhận hệ thống ở 1kV và 30 kV trong chân không cao và bật chế độ ngâm, nếu có thể.

Máy dò

• Hệ thống phát hiện Trinity (trong ống kính và trong cột)
  • Bộ dò phân đoạn T1 ở dưới ống kính
  • Bộ dò trên ống kính T2
  • Máy dò trong cột T3 (tùy chọn)
• ETD: Máy dò Everhart-Thornley SE
• DBS: BSED phân đoạn có thể thu vào dưới ống kính (tùy chọn)
• Máy dò SE chân không thấp (tùy chọn)
• DBS-GAD: ​​BSED phân tích khí gắn trên thấu kính (tùy chọn)
• Máy dò phân đoạn có thể thu vào STEM 3+ (BF, DF, HADF, HAADF) (tùy chọn)
• IR-CCD
• Camera Thermo Scientific Nav-Cam™ (gắn trong buồng)

Công nghệ ChemiSEM

• TrueSight và TrueSight Pro; Kích thước máy dò: 25 hoặc 70 mm ²
• Độ phân giải lên đến 125 eV Mn Κα _₁ @10.000 cps
• Tự động lắp vào và thu vào hoàn toàn với màn trập để vận hành an toàn
• Vị trí ‘Super Insert’ cho góc rắn tối đa và thông lượng
• Phạm vi phát hiện: Be-Am
• Độ nhạy của phần tử ánh sáng xuống tới silicon (Si Lα)

Máy dò TruePix

• Hệ thống EBSD phát hiện electron trực tiếp pixel lai dựa trên công nghệ Timepix
• Giảm tiếng ồn, tín hiệu cao so với nền
• Không bị biến dạng do sự kết hợp giữa thấu kính/sợi quang hoặc phốt pho
• Đếm electron đơn lẻ
• Độ nhạy xuống tới 4 keV
• Thông lượng tối đa 2000 FPS
• Độ nhạy tương đương >3000 pps/nA trên Ni
• Được tích hợp hoàn toàn vào phần mềm Thermo Scientific xTal View để phân tích trực tuyến và ngoại tuyến
• Quy trình làm việc liền mạch giữa các chức năng SEM, EDS và EBSD

Hệ thống, giá đỡ mẫu và buồng

• Phạm vi năng lượng va chạm: 20 eV đến 30 keV
• Giảm tốc chùm tia với độ lệch bàn soi từ –4.000 V đến +600 V
• Chế độ chân không thấp tùy chọn (áp suất buồng 10–500 Pa)
• Bàn soi: Bàn soi goniometer tâm, 5 trục, có động cơ; chuyển động XY 110 x 110 mm, nghiêng –15° / +90°; trọng lượng mẫu tối đa lên tới 5 kg ở độ nghiêng 0°
• Phạm vi dòng điện chùm tia: 1 pA đến 50 nA (cấu hình 400 nA cũng khả dụng)
• Giá đỡ mẫu: Giá đỡ đa năng tiêu chuẩn được gắn trực tiếp vào bàn soi mẫu, chứa tối đa 18 đầu mẫu tiêu chuẩn (đường kính 12 mm), ba đầu mẫu nghiêng trước, mẫu mặt cắt ngang và hai giá đỡ thanh hàng nghiêng trước (tùy chọn) (38° và 90°); không cần dụng cụ để gắn mẫu
• Buồng: Chiều rộng bên trong 340 mm, 12 cổng, EDS/EBSD đồng phẳng vuông góc với trục nghiêng của bàn soi