Tăng năng suất và tính toàn vẹn dữ liệu

Công suất mẫu cao hơn được hỗ trợ bởi Bàn soi thông minh mới được thiết kế lại và hệ thống phát hiện Ultra-X EDS mới. Các tính năng này giúp tăng hiệu suất đo lường TEM khoảng 15% và phân tích nguyên tố EDS nhanh hơn gấp 2 lần. Giai đoạn thông minh hỗ trợ tải mẫu hoàn toàn tự động và điều hướng chính xác đến vùng quan tâm (ROI). Thấu kính công suất không đổi mới cho phép chuyển đổi cường độ cao trong vòng chưa đầy 20 phút, tăng tính khả dụng của thiết bị

Phân tích nguyên tố nhanh

Metrios 6 (S)TEM với máy dò Ultra-X EDS mang đến mức độ phát hiện EDS mới cho các giải pháp thông lượng cao. Máy dò Ultra-X EDS tiên tiến cung cấp góc đặc 4,45 srad, mang lại hiệu quả thu thập dữ liệu cao hơn ít nhất gấp 2 lần so với thế hệ máy dò trước đó. Điều này cho phép thu thập dữ liệu trong thời gian ngắn hơn mà vẫn đảm bảo tính toàn vẹn của các mẫu nhạy với chùm tia. Ngoài những khả năng này, Ultra-X còn mở ra các cơ hội phân tích EDS mới với phổ EDS sạch nhất, (<1% đỉnh giả).

Tự động hóa không cần công thức cho phép đo (S)TEM

Tự động hóa hoàn toàn, không cần công thức sử dụng các thuật toán học máy để giảm đáng kể thời gian thiết lập tự động hóa cho từng quy trình hoặc loại mẫu mới nhằm mang lại tính dễ sử dụng và khả năng mở rộng. Tự động hóa thông minh dành riêng cho ứng dụng hỗ trợ nhiều loại thiết bị bán dẫn, chẳng hạn như cổng toàn diện (GAA), DRAM và 3D NAND. Thuật toán phát hiện đối tượng và phân đoạn dựa trên web mới cung cấp khả năng đào tạo mô hình về cấu trúc thiết bị nhanh hơn 50 lần. Ngoài ra, Tự động hóa thông minh có thể mở rộng để đáp ứng các yêu cầu sản xuất và R&D chất bán dẫn tiên tiến trong tương lai.

Năng suất và đo lường

Việc cải thiện hiệu suất bán dẫn và đẩy nhanh tốc độ sản xuất có thể là một thách thức. Độ phức tạp 3D ngày càng tăng của các thiết bị bán dẫn đang tạo ra nhu cầu chưa từng có về dữ liệu đo lường TEM chất lượng cao. Metrios 6 (S)TEM có phần cứng hiện đại và phần mềm tự động hóa dựa trên máy học để đo lường tham chiếu và giám sát quy trình. Giải pháp này được thiết kế để giúp các phòng thí nghiệm bán dẫn tăng công suất mẫu và thu thập dữ liệu khối lượng lớn nhằm tăng năng suất và đẩy nhanh thời gian thu được năng suất.

Đặc tính vật lý và hóa học

Việc phát triển các thiết bị bán dẫn hiện đại đòi hỏi phải mô tả đặc tính vật lý, cấu trúc và nguyên tố trên các lỗi ở quy mô nguyên tử với sự xem xét đặc biệt đối với các vật liệu nhạy với chùm tia điện tử. Metrios 6 (S)TEM hỗ trợ quy trình chụp ảnh và mô tả đặc tính linh hoạt để phân tích nguyên nhân gốc rễ chính xác và phát triển quy trình nhanh hơn. Làm việc trên các vật liệu nhạy với chùm tia phụ thuộc vào hiệu quả thu thập dữ liệu được nâng cao và mức độ tiếp xúc với chùm tia điện tử ở mức tối thiểu để duy trì tính toàn vẹn của dữ liệu. Metrios 6 (S)TEM có hệ thống phát hiện Ultra-X EDS và chuyển mạch điện áp cao nhanh để xác định nhanh đặc tính vật lý và nguyên tố của các thiết bị bán dẫn.

Đo lường và phân tích thiết bị bộ nhớ

Việc sản xuất các thiết bị bộ nhớ tiên tiến, chẳng hạn như 3D NAND và DRAM, đòi hỏi phép đo TEM chính xác, khối lượng lớn trên các kích thước nhỏ, quan trọng trong các cấu trúc có tỷ lệ khung hình cao. Với quy trình làm việc hoàn toàn tự động, Metrios 6 (S)TEM mang lại phép đo tham chiếu chất lượng cao, năng suất cao và phân tích lỗi cho các cấu trúc thiết bị bộ nhớ tiên tiến.